您好，欢迎来到贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
购物车(0)
手机访问
手机访问手机访问
商品分类

首页>IC芯片>IXER35N120D1

全部库存 现货库存 优势库存 热卖库存 电子元器件 常用库存
共有1条记录

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ixer35n120d1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V 50A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

规格书PDF

  • 芯片型号：

    IXER35N120D1

  • PDF资料下载：

    下载资料

  • 原厂全称：

    IXYS Integrated Circuits Division

  • 原厂简称：

    IXYS

  • 页数：

    2

  • 文件大小：

    52 kb

  • 说明：

    NPT3 IGBT with Diode

相关型号

IXYS Integrated Circuits Division

深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1016号宝华大厦A座、B座A座16层1611室/亚太地区XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一级代理商

新手上路

支付方式

配送方式

售后服务

关注我们

手机访问
手机访问

关于我们 联系我们 诚聘精英 付款方式 在线咨询

Copyright © 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved | 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

访问量：

字母索引： ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789